窒化ガリウム(以下GaN)は化合物半導体であり、シリコン系のLDMOSよりもさらに高い周波数までカバーできるパワーアンプです。
また、耐電圧、高効率特性にもすぐれており、これからのパワーアンプとして期待されています。
● Sバンド、Cバンドなどのレーダー向けパワーアンプ
● 携帯基地局向けのパワーアンプ
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● CLF3H0035(S)-100
● CLF3H0060(S)-30
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