FET（Field Effect Transistor：電界効果トランジスタ）は、ゲート電極で生じる電界によりソース・ドレイン間の電流の流れを制御するトランジスタです。より高速に電子を移動させるために登場したHEMT（High Electron Mobility Transistor：高電子移動度トランジスタ）は、その名の通り電子の移動が早いことが特徴で、近年の高周波数化の実現に寄与しています。
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