2016年10月号掲載企業一覧
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BLA8G1011L-300(LDMOS)

BLA8G1011L-300

(LDMOS)

  • 周波数:1030〜1090MHz
  • 出力:300(pulse)
  • ゲイン:16.5dB
  • 効率:56%
  • 使用電圧:32V

製品の詳細情報

BLL9G1214L-600(LDMOS)

BLL9G1214L-600

(LDMOS)

  • 周波数:1200〜1400MHz
  • 出力:600W
  • ゲイン:19dB
  • 効率:60%
  • 使用電圧:32V

製品の詳細情報

CGHV35150(GaN HEMT)

CGHV35150

(GaN HEMT)

  • 周波数:2.9〜3.5GHz
  • ゲイン:13.5dB
  • 出力:150W(パルス幅100〜300usec、ディーティサイクル20%)
  • 効率:50%
  • 入力整合回路
  • 使用電圧:50V

製品の詳細情報

CGHV96050F2(GaN HEMT)

CGHV96050F2

(GaN HEMT)

  • 周波数:8.4〜9.6GHz
  • ゲイン:10dB
  • 出力:80W
  • 効率:55%(PAE)
  • 入力整合回路
  • 使用電圧:40V
  •  

製品の詳細情報

CGHV59070(GaN HEMT)

CGHV59070

(GaN HEMT)

  • 周波数:4.4〜5.9GHz
  • ゲイン:14dB
  • 出力:90W
  • 効率:55%
  • 使用電圧:50V
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製品の詳細情報

CGHV27060MP(GaN HEMT)

CGHV27060MP

(GaN HEMT)

  • 周波数:2.5〜2.7GHz
  • ゲイン:18.5dB(14W Pave)、16.5dB(パルス)
  • 出力:14W(Pave)、80W (パルス)
  • 効率:35% (Pave)、70%(パルス)
  • 使用電圧:50V

製品の詳細情報

LHA-1H+(小型MMIC増幅器)

LHA-1H+

(小型MMIC増幅器)

  • 周波数:0.05〜6GHz
  • 出力(P1dB):22.5dBm@2GHz
  • ゲイン:13.9dB@2GHz
  • IP3:41dBm@2GHz
  • NF:2.1@2GHz
  • 使用電源:5V
  • サイズ:3.0x3.0x0.89(mm)
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製品の詳細情報

TCP-2-152-75X+(75Ω 2分配器/結合器)

TCP-2-152-75X+

(75Ω 2分配器/結合器)

  • TCP-2-152-75X+(75Ω 2分配器/結合器)
  • 2way-0°分配器/結合器
  • 使用周波数:5〜1500MHz
  • 挿入損失:0.8dB
  • アイソレーション:28dB
  • 振幅バランス:0.2dB
  • 位相バランス:1.5deg
  • インピーダンス:75Ω
  • サイズ:4.06x3.81x4.06(mm)

製品の詳細情報

PGA-122-75+(75Ω MMIC増幅器)

PGA-122-75+

(75Ω MMIC増幅器)

  • 周波数:5〜1500MHz
  • 出力(P1dB):73.1dBmV@0.5GHz
  • ゲイン:15.6dB@0.5GHz
  • NF:2.9dB@0.5GHz
  • IP3:43dBm@0.5GHz
  • 使用電源:9V
  • サイズ:2.59x4.6x1.6(mm)

製品の詳細情報

PUDAT-13G-90(プログラム減衰器)

PUDAT-13G-90

(プログラム減衰器)

  • 周波数:10〜13000MHz
  • 減衰レンジ:90dB
  • 減衰ステップ:0.5dB
  • 減衰精度:±0.6dB
  • インターフェース:USB、RS232、SPI
  • サイズ:2.0x3.0x0.6(inch)
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製品の詳細情報

CGY2128UH/C1(低ノイズGaAs MMIC Die)

CGY2128UH/C1

(低ノイズGaAs MMIC Die)

  • 周波数:23〜33GHz
  • ゲイン:25dB
  • 出力(P1dB):10Bm
  • NF:1.3dB
  • 使用電源:3.5V
  • 消費電流:45mA
  • chipサイズ:3x2(mm)

製品の詳細情報

CGY2190UH/C2

CGY2190UH/C2

(低ノイズGaAs MMIC Die)

  • 周波数:75〜110GHz
  • ゲイン:23dB
  • 出力(P1dB):1Bm
  • NF:2.8dB@90GHz
  • 使用電源:1V
  • 消費電流:33mA
  • chipサイズ:2000x3000(μm)

製品の詳細情報

PEM11002-KIT(2.4GHzレーダー開発キット)

PEM11002-KIT

(2.4GHzレーダー開発キット)

  • 使用周波数:2.4GHz ISM Band
  • 出力:1W(Sweeping)、0.125W(CW)
  • 動作モード:CW、FMCW、Doppler
  • インターフェース:USB又はBluetooth
  • 使用電源:5V
  • 消費電流:0.5A
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製品の詳細情報

PE88D1000(1/10プリスケーラー)

PE88D1000

(1/10プリスケーラー)

  • 1/10プリスケーラー
  • 使用周波数:0.5〜18GHz
  • 入力:-20dBm
  • 出力:-1dBm
  • リバースリーケージ:70dB
  • 使用電源:5V
  • 消費電流:152mA
  • サイズ:16.26x14.99x7.37(mm)

製品の詳細情報

PE-W12B002(導波管H-Bend)

PE-W12B002

(導波管H-Bend)

  • 使用周波数:60〜90GHz
  • VSWR:1.1:1
  • 挿入損失:0.21dB
  • UG387/U WR-12 H-Bend
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製品の詳細情報

PE70A2900(可変減衰器)

PE70A2900

(可変減衰器)

  • 使用周波数:0.5〜18GHz
  • 挿入損失:5.2dB Max.
  • 減衰レンジ:60dB
  • VSWR:2.2:1Max.
  • 入力電力:20dBm Max.
  • 減衰平坦値:±0dB(0dB〜30dB)、
          ±3dB(30dB〜40dB)、
          ±4dB(40dB〜50dB)、
          ±5dB(50dB〜60dB) Typ.
  • 使用電源:±12V
  • サイズ:50.8x45.72x12.7(mm)

製品の詳細情報

AE618(G-PON/GE-PON用E-pHEMT MMIC 75Ω)

AE618

(G-PON/GE-PON用E-pHEMT MMIC 75Ω)

  • 周波数:5〜1000MHz
  • ゲイン:20dB typ.
  • ゲイン平坦値:0.7dB typ.
  • 出力:32dBm @500MHz(P1dB)typ.
  • NF:2.5dB typ.
  • 使用電源:8〜12V(DC)
  • サイズ:5x6.1x1.6(mm)
  • インピーダンス:75Ω
  • 低価格

製品の詳細情報

HR5459-25B(GaN ハイブリット増幅器)

HR5459-25B

(GaN ハイブリット増幅器)

  • 周波数:5400〜5900MHz
  • ゲイン:20dB
  • 効率:40%
  • 出力:25W(パルス@Psat)
  • 使用電源:50V(Vds) -3.3V(Vgs)
  • サイズ:20.5x12.5x4.8(mm)
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製品の詳細情報

RRM9395200-56(GaN パルス増幅器)

RRM9395200-56

(GaN パルス増幅器)

  • 周波数:9300〜9500MHz
  • ゲイン:56dB
  • 出力:200W(パルス)
  • 効率:20%
  • 使用電源:50V、5.6V(Vds)、ON/OFF(5V)
  • サイズ:140x140x25(mm)
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製品の詳細情報

RRP162168100-08A(GaN パルス増幅器)

RRP162168100-08A

(GaN パルス増幅器)

  • 周波数:16.2〜16.8GHz
  • ゲイン:8dB
  • 効率:20%
  • 出力:50dBm
       (パルス幅 7.7usec ディーテー6%)
  • 使用電源:50V(Vds)、-4V(Vgs)
  • サイズ:70x35x11.7(mm)

製品の詳細情報